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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

华东某LED概念片产出方式机构,因产出方式步骤中适用砷化镓、电镀锌铟等III-V族化学物质,废泥里含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等血本属,设计补救企业规模1200吨/日。 生产废水含量及因素 MOCVD设备清洁生活污水 :含三级甲等医院基镉、三级甲等医院基铟等有机酸金属质无机化合物 切除研磨抛光废渣 :含奈米级黑色金属粉末 镀膜污废水 :含铜、镍等轻金属化合物 清理新工艺环节 创新技术通过"钝化破络+高价属捕集器+膜分割"组合起来工艺设备: 预办理摸块 :污泥脱水次氯酸钠溶液工业制硝酸无机五金络合物 管理处外理模块 : 操作DTCR血本属收集剂达成不无水磷酸氢螯合物 反渗透膜程序(UF)公款私存生物大分子式空气废水 ro反渗透性(RO)脱盐率>98% 活性污泥进行处理单无 :离心分离出现脱水后委托危险废物净化处理机构处里 进而特效 经委托方协议方检查: 总砷成分:0.05mg/L(国际标准0.5mg/L) 镉含水量:0.01mg/L(执行标准0.1mg/L) 水工业废水处理率:75% 执行生产成本:3.8元/吨水

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